Outra estrutura usada em transistores de potência é a estrutura mexa ou de base epitaxial, uma camada epitaxial levemente dopada é crescida num coletor fortemente dopado, e uma simples difusão usada para formar o emissor na camada de base epitaxial e a estrutura resultante é gravada em mesa, o resultado final são transistores mexa que são reforçados e têm baixa resistência de coletor.
Os transistores de potência são usualmente encapsulados em invólucros metálicos possibilitando a montagem num dissipador de calor, mas os últimos anos tem havido certa tendência para os encapsulamentos plásticos.
Isto tem diminuído consideravelmente o custo do encapsulamento do transistor sem afetar o desempenho, para resolver o problema de calor no transistor uma placa de metal é incorporada no invólucro plástico para garantir um bom contato térmico entre o elemento transistor e um dissipador de calor que só será usado em caso de necessidade.
Um transistor de potência usado como transistor de saída num amplificador geralmente requer um transistor pré-amplificador para proporcionar potência de entrada suficiente.
Se ambos os transistores forem montados sobre dissipadores de calor, uma considerável quantidade do volume do amplificador ser ocupada por esses dois transistores.
Um desenvolvimento recente permite que seja economizado espaço combinando-se os transistores pré-amplificador e de saída na mesma fração de pastilha de silício num encapsulamento, esta construção é o transistor de potência Darlington, que pode ter um ganho de corrente de até 1000 e saídas de potência de até 150 watts, mas esse é assunto para outro link, continue lendo sobre a construção de transistores.