Antes de escrever sobre testes de funcionamento de transistores é preciso chamar a atenção para o fato que existem vários tipos de transistores que são conhecidos como transistores de efeito de campo, ou simplesmente FET, MOSFET, JFET , IGBT , Organic FETs, Accumulation-channel FET.
Como particularidade os transistores de efeito de campo podem ser do canal N ou do canal P, por isso não tem como tratá-los todos da mesma forma, pois na prática, mesmo existindo alguma semelhança em algumas características, eles são diferentes entre si, mesmo sendo de polaridade igual.
Outra questão sobre os transistores de efeito de campo está relacionada aos efeitos da ESD, de maneira geral, esse tipo de transistor é extremamente sensível ao manuseio, tanto é que existem circuitos em que são utilizados transistores da família FET e nem sequer é preciso tocar em algum condutor, basta a aproximação de um dedo ou uma mão.
É altamente recomendada a descarga da eletricidade estática presente no corpo de quem vai manusear esses sensíveis componentes, caso contrário, podem acontecer falhas de funcionamento desse tipo de transistor sem sequer ser utilizado em algum circuito eletrônico.
Basta tocar em seus terminais com o corpo carregado de eletricidade estática ou usar um soldador sem aterramento para que seja destruído, isso não é fantasia como muitos insistem em afirmar.
Para testar transistores de efeito de campo, é recomendado um circuito de teste, mas um multímetro também serve para testá-los, o problema surge quando mesmo executando medidas iguais são obtidos resultados diferentes.
Isso ocorre porque componentes com códigos diferentes tem características diferentes, um exemplo disso é o IRF840 que tem uma resistência entre dreno e source de mais de 10 mega ohms (10M), tenho encontrado até com 15,5M.
Com o gate polarizado a resistência é de mais ou menos 0,33 ohms, ou seja, mais ou menos 1/3 de ohm, mas muda para outros valores em função das especificações do transistor, isso é facilmente descoberto se verificar as características na folha de dados (Datasheet) do transistor.
Citei acima o IRF840, que trabalha com tensões de até 500 volts, se a resistência entre dreno e source for de 50 ohms, significa que a corrente sem sinal no gate é de aproximadamente 10 ampères, é pura lei do ohm, pois R * I = V, então temos 50 x 10 = 500.
Outra característica é que a corrente IDS para tensão de gate igual a zero é de no máximo 50 microampères (50 µA), é pura matemática , é fácil deduzir que o resultado é próximo dos 10 méga ohms (10M).
Para testar um transistor do tipo FET, MOSFET, JFET , IGBT , OFETs , ACFET é simples, mas é preciso saber qual é cada um dos terminais, como em nosso exemplo está sendo utilizado o IRF840, então vamos identificar os terminais para poder executar o teste.
O terminal G corresponde ao Gate, o terminal central é o Dreno e é também a carcaça, como são apenas 3 terminais, o terminal que sobrou é o Souce, vale lembrar que é o IRF840 que temos como base, outros transistores da mesma família podem ter a disposição dos terminais diferente.
Se seu multímetro for made in Paraguai ou desses xilings furréca, abra a mão e compre uma ferramenta decente, de posse de um bom multímetro você vai obter resultados confiáveis.
Se for multímetro digital selecione a escala de diodo, se for multímetro analógico, selecione a seção de ohms e a escala 10K.
Coloque a ponta preta do multímetro no dreno, e a ponta vermelha no source, se o FET já estiver polarizado (mesmo estando desligado de qualquer circuito), vai dar como resultado algumas centenas de ohms.
Para despolarizar ou polarizar ao contrário, mantenha o ponta preta no dreno, e coloque a ponta vermelha no gate, com esse procedimento o MOSFET está sendo feito o “desligamento” dos MOSFET.
Desligar “ou despolarizar” significa que não vai passar corrente entre o dreno e o source, mantenha a ponta vermelha no terminal source e coloque a ponta preta no gate, esse procedimento liga o FET, ou seja, vai fazer com que a corrente passe através do dreno e do source, se colocar a ponta negativa no dreno será notado que “polarizou” ou chaveou, pois a resistência é muito baixa.
Se na polarização ou na despolarização a resistência for a mesma em todas as medições o FET está com fugas.
Existe o problema de instabilidade, é difícil de detectá-lo porque exige paciência, alguns é por pressa mesmo e outros por desconhecimento, vamos ao teste de auto chaveamento:
Coloque a ponta de prova positiva no source e a ponta de prova negativa no dreno, segure assim por pelo menos 30 segundos e observe a leitura no multímetro, se a resistência for aumentando gradativamente, o FET está com fugas e por isso acontece o chaveamento sem motivo.
É preciso que fique claro que transistores de efeito de campo podem ser usados como reguladores de tensão, mas nos testes de funcionamento não devem se comportar como tal, eles são chaveadores, ou seja, chaves que ligam e desligam em função de uma tensão de controle.